PAGOODA 场效应管厂家直销
一般是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。
场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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