场效应管的分类1、结型场效应管因有两个PN结而得名；2、绝缘栅型场效应管也叫金属-氧化物-半导体场效应管，因栅极与其它电极完全绝缘而得名。3、根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。三极管和场效应管是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件， 初发明的是三极管，以其优异的性能迅速代替了电子管，但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷，在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的晶体管，于是场效应管就应用而生了。
FET的 大特点就是输入阻抗极高，这是三极管无法比拟的，然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样而完全取代三极管，它也不是 的，在有些方面不如三极管，因此不能笼统的说谁好谁不好，由于它是在三极管的基础上研制而成的，所以它许多方面和三极管有相似的地方，二者珠联璧合应用广泛。通过对比全面的认识三极管和场效应管，以便更好的运用它们。1.电极区别：三极管有基极b、发射极e、集电极c三个电极，场效应管也有G极、源极S、漏极D三个电极，它们二者有对应关系，电极的作用相似，即基极-栅极都是控制极，发射极对应源极，集电极对应漏极，都是被控电极；2.控制类型：三极管是电流控制型器件，也就是通过基极电流的变化控制集电极电流的变化；场效应管属于电压控制型器件，也就是通过栅极电压的变化来控制源漏极电流大小；二者的工作原理是不同的，三极管是通过基极电流来控制集电极电流大小的，而场效应管是通过栅压改变导电沟道的宽度来控制电流的变化；3.阻抗差别：三极管输入阻抗较低，在几百欧姆-几千欧姆之间，基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，阻抗不匹配时几乎不能工作；场效应管的输入阻抗极高，达到兆欧以上，MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，和三极管一样输出电阻也较高；4.载流子差别：三极管有两种载流子参加导电，即少子与多子，属于双极性器件；场效应管只有一种载流子参加导电，属于单极性器件；5.稳定性差别：三极管由于少子也参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差，故其噪声高，且制造复杂；场效应管由于其由多子导电，热稳定性较好，故噪声小；制造工艺简单，容易集成、功耗低、体积小、安全工作区域广；大规模、超大规模集成电路均大多由场效应管制作；
6.分类差别：晶体管按结构分PNP和NPN型两种；而场效应管种类就多了，按导电沟道分n型和p型，按原理结构分结型场效应管JFET和绝缘栅场效应管MOSFET，mos管又分增强型、耗尽型两种；
7.特性曲线差别：三极管特性曲线分截止区、放大区、饱和区、击穿区；场效应管分截止区、放大区、可变电阻区、击穿区，二者有对应关系；在特性曲线上均有输入、输出特性曲线；从电路分析计算，场效应管较三极管简单；三极管的转移特性（IC-Vbe）是按指数规律变化，场效应管的转移特性是按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管大；8.放大能力：表征三极管放大能力的重要参数是电流放大倍数β，场效应管用跨导表示gm，其值较小，放大能力差，电压放大倍数小于三极管电路；9.灵活性差别：三极管的发射极、集电极不能互换，否则β极低，不能正常工作，而场效应管对于一些特定条件的（衬底没有和源极连着一起），源极和漏极是可以互换的。耗尽型的场效应管的栅极电压可正可负，灵活性高；10.接法差别：三极管有三种接法：共射、共基、共集，场效应管也有三种接法：共源、共栅、共漏接法；二者对应；相位关系一致；11.偏置差别：三极管正常工作需要合适的偏置电流，场效应管正常工作时需要合适的偏置电压;12.判别差别：三极管类型较少仅有两种，判别上比较简单，场效应管类型较多，判别上较为复杂，三极管在焊接过程中只要求防止温度过高即可，没有静电影响问题；MOS管必须对栅极和源极放电，否则感应静电也容易击穿管子，在存储、运输时必须将栅极、源极短路；13.电容差别：三极管极间电容较大，MOS管极间电容较低；。三极管耦合电容较大，场效应管输入电阻极高，耦合电容较小；14.其它差别：三极管和场效应管都可以作为可变电阻、开关器件；三极管的功耗较高，但较便宜；在只允许从信号源取较少（高输出阻抗）电流的情况下，选用场效应管，达到阻抗匹配目的，适用于低噪高输入电阻的前置电路；在信号电压较低，允许取用电流的情况下，选用三极管。作为开关管，场效应管的效率较高，多用在大电流、高速开关电源上；在环境温度变化较大的场合应使用场效应管。
