结型场效应管结构和工作原理
（1） 结型场效应管结构
N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，造成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两端P区是栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
（2） 结型场效应管工作原理
以N沟道为例说明其工作原理。
当VGS=0时，在漏、源之间加有电压时，在漏源间多子的漂移运动将形成，产生漏极电流。当VGS《0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的间隔变细，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID不断减小为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS （off）。
