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　　MOS管为三端器件，适当连接这三个端，MOS管就变成两端的有源电阻。这种电阻器主要原理是利用晶体管在偏置下的等效电阻。可以代替多晶硅或扩散电阻，以提供直流电压降，或在小范围内呈线性的小信号交流电阻。在大多数的情况下，获得小信号电阻所需要的面积比直线性重要得多。一个MOS器件就是一个模拟电阻，与等价的多晶硅或跨三电阻相比，其尺寸要小得多。简单地把n沟道或p沟道增强性MOS管的栅极接到漏极上就得到了类似MOS晶体管的有源电阻。对于n沟道器件，应该尽可能地把源极接到负的电源电压上，这样可以影响。同样p沟道器件源极应该接到正的电源电压上。但是在实际中，由于信号摆动的幅度很小，所以实际上这种电阻可以很好地工作。其中：K ′=μ0C0X。可以看出，如果VDS（VGS-VT），则ID与VDS之间关系为直线性（假定VGS与VDS无关，由此产生一个等效电阻 R=KL/W，K=1/［μ0C0X（VGS-VT）］，μ0为载流子的表面迁移率，C0X为栅沟电容密度;K值通常在1000～3000Ω/□。在VDS0.5（VGS-VT）时，近似情况是良好的。
　　在设计中有时要用到交流电阻，这时其直流电流应为零。有源电阻不能此条件，因为这时要求其阻值为大。显然这是不可能的。这时可以利用MOS管的开关特性来实现。
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