氮化镓晶体管特性：可耐受极度高温，并且其频率和功率特性远远高于硅、砷化镓、碳化硅、以及迄今为止所制造的所有半导体器件。此类器件的频率和功率处理能力对于为技术领域带来革命的高级通信网络中的放大器、调制器和其它关键器件非常重要。
　　氮化镓(GaN)晶体管可将基站放大器的效率提高到现在的两倍或三倍，因此可以用较少数量的基站覆盖同样的地区，或者，更可能的情况是，在基站数量不变的情况下提供更高的数据传输速率。由于不再需要强力风扇和校正电路，整个基站有可能缩小到只有小型电冰箱的大小，可以安装在电线杆上，而不必占据电话公司中心局中昂贵的空间。
　　这一速度、高功率和耐热性能的组合还使GaN晶体管适合无数的其它应用。GaN晶体管对此类电路非常理想。它的与众不同之处在于结合了碳化硅的高击穿场强和砷化镓、锗硅或磷化铟材料的高频率特性。当然对于半导体而言，性能和成本将决定最终的赢家。目前在两方面GaN都还有许多可以改善的空间。
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