去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：
一、是本集成电路的蓄能电容；
二、旁路掉该器件的高频噪声。
      数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，对于 10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取 0.01μF。
       分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成的影响。在对印制板进行设计时要充分考虑这种影响，在工作频率很高的时候。也成为寄生电容，制造时会产生，只是大小的问题。布高速PCB时，过孔可以减少板层电容，但会增加电感。