平尚电子科技详细阐述三极管的主要参数有哪些，需了解更多，请直接访问平尚官方网站，下面来讲解三极管的主要参数。
　　1、直流参数
　　（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。
　　（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。即Iceo=(1+β)Icbo，Iceo值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
　　（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
　　（4）直流电流放大系数β1这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib
　　2、交流参数
　　（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量即：β= △Ic/△Ib
　　（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化即：α=△Ic/△Ie
　　因为△Ic＜△Ie，故α＜1。
　　α与β之间的关系：
　　α= β/（1+β）
　　β= α/（1-α）≈1/（1-α）
　　（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα
　　（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。
　　3、极限参数
　　（1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。
　　（2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
　　（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
　　（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。
　　（5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率即Pc=Uce