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快恢复二极管的结构特点

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它的基区很薄，反向恢复电荷很小，大大减小了trr值，且降低了瞬态正向压降，使它能承受较高的反向工作电压。反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管普遍采用TO-220封装形式。

反向恢复时间：
指当外加二极管的电压瞬间从正向转到反向时，流经器件的电流不能相应地瞬间从正向电流转换为反向电流。这时正向注入的少数载流子被空间电荷区的强电场抽取，由于这些空穴的密度高于基区平衡空穴密度，因而在反向偏置瞬间，将产生一个远大于反向漏电流的反向电流，即反向恢复电流IRM。与此同时，符合过程的强化也在加速这些额外载流子密度的下降，直到基区中积累的额外载流子的完全消失，反向电流才下降并稳定到反向漏电流。整个过程所经历的时间为反向恢复时间。

反向恢复时间trr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

区分肖特基二极管与快恢复二极管
1、肖特基二极管反向击穿电压大多不高于60V，zui高仅约100V，限制其使用，快恢复二极管反向峰值可以到几百到几千伏.
2、结构原理不同，肖特基二极管是贵重金属和n型半导体结合成，快恢复二极管是普通pn结加了个薄基区。
3、肖特基正向导通压降仅0.4V， 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。
4、从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 
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