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去耦电容方法二|降低电容ESL

  上一篇与大家分享了去耦电容的—种，现在分享分享第二种方法。
  容值相同的情况下使用尺寸较小的电容：对于积层陶瓷电容，有时会准备容值相同但尺寸不同的封装，尺寸较小的电容基本上引脚部位也较小，一般情况下ESL较小。需要降低更高频段的噪声时，选择尺寸小的电容更好一点
   使用降低ESL的电容：

   普通电容的电极在短边侧，而LW逆转型的电极在长边侧。由于L（长度）和W（宽度）相反，故称“LW逆转型”。是通过增加电极的宽度来降低ESL的类型。三端电容是为了改善普通电容的频率特性而优化了结构的电容。这种输入输出电极和GND电极间存在电介质，起到电容的作用。由于输入输出电极的ESL不包括在接地端，接地的阻抗变得非常低。输入输出电极的ESL通过在噪声路径直接插入，有利于降低噪声。通过在长边侧成对配置GND电极，可抑制ESL；再采用并联的方式，可使ESL减半。基于这样的结构，三端电容不仅具有非常低的ESL，而且可保持低ESR，改善高频特性的成效比较大。
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