屏蔽电感和非屏蔽电感的区别
屏蔽电感磁路结构为闭磁路结构:闭磁路结构是由磁性材料组成,磁阻抗非常小,代表磁芯为环形磁芯,是闭磁路结构。非屏蔽电感磁路结构为开磁路结构:由于磁路组成结构裸露,具有非常明显的气隙,其阻抗比较的大,代表磁芯为U型、EE型磁芯。
由于屏蔽电感和非屏蔽电感磁屏蔽结构不同,在相同电感以及工作电流下,屏蔽电感的体积要大于非屏蔽电感。非屏蔽电感具有高饱磁率、小体积、低阻抗的特点。主要集中在插件电感、部分贴片电感GCD系列(快被屏蔽电感取代)、棒形电感。
屏蔽电感具有大功率、低电阻、大电流的特点。主要用在对EMC有着高要求的电路中,涉及到信号传输,智能计算等等,例如手机、计算机、高品质音响等等。